Intel gab heute bekannt, dass es die Entwicklungsphase seiner nächsten Fertigungsprozess-Generation erfolgreich abgeschlossen hat. Die Größe der Transistoren auf dem Chip konnte auf nun mehr 32 Nanometer (1 nm = 1 Milliardstel Meter) gesenkt werden. Laut Intel liegt man im Zeitplan, so dass die Produktion der auf der 32-nm-Prozesstechnologie beruhenden künftigen Prozessorgeneration wie geplant im vierten Quartal 2009 starten kann.
Die Prozessoren auf Basis des 32-nm-Herstellungsverfahrens werden mit der zweiten Generation der High-k- und Metal-Gate-Transistor-Technologie gefertigt. Die bei der Produktion zum Einsatz kommenden Transistoren werden sich durch noch höhere Energieeffizienz und Dichte sowie weiter gesteigerte Leistungsfähigkeit auszeichnen. Intel verwendet 193-nm-Immersionslithographie für die kritischen Schichten auf dem Chip sowie eine verbesserte Transistor-Strain-Technik, bei der das natürliche Kristallgitter des Siliziums künstlich „gestreckt“ wird. Das steigert die Beweglichkeit der Ladungsträger und erlaubt schnellere Schaltungen durch den Transistor.
Leistungsfähigkeit und Energieffizienz der auf 32-nm-Technologie basierten Prozessoren sollen sich so entscheidend optimieren lassen. Stand heute sind auf 32-nm-Technologie basierende Intel-Prozessoren hinsichtlich Performance und Transistordichte industrieweit konkurrenzlos.
Mit den Entwicklungsergebnissen und dem Produktionsstart der 32-nm-Prozessoren im kommenden Jahr will Intel sein so genanntes Tick-Tock-Modell untermauern. Dieses Konzept beschreibt den jährlichen Wechsel von neuer Prozessorarchitektur und Strukturverkleinerungen bei der Fertigung. Mit der Einführung des 32-nm-Herstellungsverfahrens im Jahr 2009 wird Intel diese Strategie das vierte Jahr in Folge erfolgreich umsetzen. (Quelle: Intel/GST)
